| Serie |
TZ4SP TZN4S |
TZ4ST |
TZ4M TZN4M |
TZ4W TZN4W |
TZ4H TZN4H |
TZ4L TZN4L |
| Alimentación |
(★) 100-240VCA 50/60Hz, 24VCA 50/60Hz / 24-48VCC |
| Rango permitido de voltaje |
90~110% de la alimentación |
| Consumo |
Aprox. 5VA |
Aprox. 6VA(bajo voltaje ☞ CA:Aprox. 8VA, CC:Aprox. 7W) |
| Display |
Display LED de 7 segmentos [valor del proceso (PV): en rojo, valor de ajuste (SV) en verde] |
| Tamaño de caracteres |
TZ4SP ☞ W4.8x H7.8mm TZN4S ☞ PV:W7.8xH11mm SV:W5.8xH8mm |
W4.8xH7.8mm |
TZ4M ☞ PV:W9.8xH14.2mm SV:W8xH10mm TZN4M ☞ PV:W8xH13mm SV:W5xH9mm |
W8xH10mm |
TZ4H ☞ W3.8xH7.6mm TZN4H ☞ PV:W7.8xH11mm SV:W5.8xH8mm |
PV:W9.8xH14.2mm SV:W8xH10mm |
| Entrada |
Termopar |
K(CA), J(IC), R(PR), E(CR), T(CC), S(PR), N(NN), W(TT) |
| RTD |
Pt 100Ω, JIS Pt100Ω3 conductores, tolerancia en la resistencia de línea máx. 5Ω, por conductor |
| Analógica |
1-5VCC, 0-10VCC, 4-20mACC |
| Salida de control |
Relevador |
250VCA 3A 1c |
| SSR |
12VCC±3V 30mA max. |
| Corriente |
4-20mACC carga 600Ω Max. |
| Salida auxiliar |
Transmisión |
– |
Transmisión PV: 4-20mACC carga max. 600Ω |
| EVENTO 1 |
250VCA 1A 1a |
| EVENTO 2 |
|
250VCA 1A 1a |
| Comuni -cación |
– |
– |
RS485 (transmisión PV, ajuste SV) |
| Tipo de control |
Control ON/OFF, P, PI, PD, PIDF, PIDS |
| Precisión de display |
F.S ± 0.3% o 3ºC(superior) |
| Tipo de ajuste |
Por medio de botones al frente |
| Histéresis |
Ajustable 1~100°C(0.1~100.0°C) en control ON/OFF |
| Histéresis de salida de alarma |
Ajustable 1~100ºC(0.1~100.0ºC) en control ON/OFF |
| Banda proporcional (P) |
0.0 – 100.0% |
| Tiempo integral (1) |
0 – 3600 seg. |
| Tiempo derivativo D) |
0 – 3600 seg. |
| Tiempo de control (T) |
1 – 120 seg. |
| Periodo de muestreo |
0.5 seg. |
| Ajuste LBA |
1 – 999 seg. |
| Ajuste RAMPA |
Rampa ascendente, rampa descendente a 1~99min. |
| Rigidez dieléctrica |
2000VCA 50/60Hz por 1 min. |
| Vibración |
Amplitud de 0.75mm a frecuencia 10 ~ 55Hz en cada dirección X, Y, Z por 2 horas |
| Vida del relevado |
Salida principa |
Mecánica: min. 10,000,000 veces, Eléctrica : min. 100,000 veces (250VCA 3A carga resistiva) |
| Salida aux. |
Mecánica: min. 20,000,000 veces, Eléctrica: min. 300,000 veces (250VCA 1A carga resistiva) |
| Resist. de aislamiento |
Min. 100MΩ (a 500VCC mega) |
| Ruido |
Onda cuadrada de ruido generada por simulador de ruido (ancho de pulso μs)±2kV |
| Protección de memoria |
Aprox. 10 años (cuando se usa una memoria semiconductora no volátil) |
| Temperatura ambiente |
-10 ~ 50ºC(en condición de no congelamiento) |
| Temp. de almacenaje |
-20 ~ 60 ºC(en condición de no congelamiento) |
| Humedad ambiental |
35 ~ 85%RH |
| Certificaciones |
CE UL |
| Peso de la unidad |
TZ4SP: Aprox. 136g TZN4S: Aprox. 150g |
Aprox. 136g |
Aprox. 270g |
TZ4W: Aprox. 270g TZN4W: Aprox. 259g |
Aprox. 259g |
Aprox. 360g |
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